euv光源的技术基本只掌握在花旗国cymer公司手中，星光科技公司作为一家华夏公司，基本上不可能与対方达成技术合作，因为花旗国政府，就不会同意。
euv光刻机——顶级科学与顶级制造的结合。
euv波长只有13.5nm，穿透物体时散射吸收强度较大，这使得光刻机的光源功率要求极高，此外机器内部需是真空环境，避免空气对euv的吸收，透镜和反射镜系统也极致精密，配套的抗蚀剂和防护膜的良品率也需要更先进技术去提升。
一台euv光刻机重达180吨，超过10万个零件，需要40个集装箱运输，安装调试都要超过一年时间。总之，euv光刻机几乎逼近物理学、材料学以及精密制造的极限。
所以euv不仅是顶级科学的研究，也是顶级精密制造的学问。
二零一零年首发euv光刻机，目前成为全球唯一一家euv光刻机供应商。
二零一零年，阿斯慢首次发售概念性的euv光刻系统nxw:3100，从而开启光刻系统的新时代。
二零一三年，阿斯慢发售第二代euv系统nxe:3300b，但是精度与效率不具备10纳米以下制程的生产效益。
今年又推出了第三代euv系统nxe:3350，但仍然只是试产的性质。
历史上，阿斯慢公司要到明年，也就是二零一六年，第一批面向制造的euv系统nxe:3400b，才会开始批量发售，
nxe:3400b的光学与机电系统的技术有所突破，极紫外光源的波长缩短至13nm，每小时处理晶圆125片，或每天可1500片。
连续4周的平均生产良率可达80，兼具高生产率与高精度。
三年后推出的nxe:3400c，更是将产能提高到每小时处理晶圆175片。
目前，阿斯慢在售的euv光刻机包括nxe:3300b和nxe:3400c两种机型。
euv成功来源于阿斯慢光刻机上游产业链的贯通。
在euv光刻机超过10万个零件之中，来自硅谷光科集团的微激光系统、德国蔡司的镜头和cymer的euv光源是最重要的三环。
一九九七年英特尔牵头创办了euvllc联盟，随后阿斯慢作为惟一的光刻设备生产商加入联盟，共享研究成果；二零零零年，阿斯慢收购了花旗国光刻机巨头l(硅谷光刻集团)；二零一二年，阿斯慢收购euv光源提供商cyer就和阿斯慢已经合作已久。
二零一六年，阿斯慢公司取得光学镜片龙头，德国蔡司百分之二十四点九的股份，以加快推进更大数值孔径（na）的euv光学系统。
这些收购使得阿斯慢几乎参与了整个euv光刻上游产业链。
但收购花旗国企业的过程，使阿斯慢必须同意，在花旗国建立一所工厂，和一个研发中心，以此满足所有花旗国本土的产能需求。
另外，还需要保证百分之五十五的零部件，均从美国供应商处采购，并接受定期审查，这也为日后阿斯慢，向华夏国出口光刻机受到花旗国管制埋下了伏笔。
euv设备在下游市场供不应求。由于上游零部件供应不足（如蔡司的镜头），阿斯慢的euv光刻机产量一直不高，而下游市场对7nm制程的需求却十分旺盛。2011年英特尔、三星和台急电共同收购阿斯慢23的股权，帮助阿斯慢提升研发预算，同时也享受euv光刻机的优先供应权。
近年来，阿斯慢已经出货的euv光刻机主要优先供应给台积电、三星、英特尔等有紧密合作关系的下游厂商。目前所有中国企业中，还没有任何一家企业，能够从阿斯慢订购到euv光刻机。
而且此时的华夏企业，对于阿斯慢的euv光刻机，似乎并没有很迫切的需求，毕竟阿斯慢公司的浸润式duv光刻机，并没有停止出口华夏市场，而且星光科技集团也能生产duv浸润式的光刻机，完全可以满足国内的需求。
至于10纳米以下的制程工艺，华夏国内的市场需求银少，所以更高端的极深紫外线euv光刻机，华夏国内的市场需求并不迫切。
可是全球智能化科技，是在飞速发展的，随着科技的发展，人民对于芯片的要求会越来越高，几年之后，全球会向5g，甚至6g技术发展，那个时候要用到的智能芯片，必须要用5纳米以下的制程技术，甚至是1纳米的制程技术。
那个时候，再怎么研究推进，浸润式duv光刻机，也不可能达到5纳米以下的制程技术。
研发投深紫外线暴光技术的euv光刻机，便是最终无法绕开的办法。
可是华夏的光刻机研发生产企业，除了一个星光科技集团，就只有沪上的微电子集团了。
可微电子集团的光刻机技术，比星光科技集团尚且差了不少的距离，更别说和国外的几大光刻机企业相比了，微电子集团的光刻机技术，现在还停留在90纳米的制程工艺上。
星光科技集团，集中了数以千计的科技研发人员，想要在euv光刻机技术上有所突破，打破阿斯慢公司的技术垄断，追赶上阿斯慢，造出一台符合5纳米制程以下的euv光刻机，并不是件很容易的事情，甚至连能不能办到，都是一个未知数。
这并不是开玩笑，有些技术难题，不是说你努力了，你不计成本的砸了资金进去，就一定能够成功的。
看看阿斯慢研究出euv光刻机技术的过程，便十分的清楚了。
如果没有花旗国科研力量的贡献，没有欧美各国一些公司的技术支持，阿斯慢也研发不出euv光刻机。
可以不客气的说，eu